產(chǎn)品名稱：安接倫二手icp-ms
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2020-06-17
產(chǎn)品特點(diǎn)：安接倫二手icp-ms系統(tǒng)采用新技術(shù)，具有靈敏度、準(zhǔn)確性、簡(jiǎn)便易用性以及高效率。我們的 7800 和 7900 四極桿 ICP-MS 系統(tǒng)可提供基質(zhì)耐受性、寬的動(dòng)態(tài)范圍，并能效地去除常見應(yīng)用中的痕量元素干擾。8900 串聯(lián)四極桿 ICP-MS （ICP-MS/MS） 增加的 MS/MS 運(yùn)行模式可對(duì)反應(yīng)池過程實(shí)現(xiàn)精確控制，確保獲得一致性與準(zhǔn)確性的結(jié)果，并能分離四極桿與分辨
產(chǎn)品詳細(xì)資料：
安接倫二手icp-ms電感耦合等離子體質(zhì)譜儀技術(shù)參數(shù)：
1. 靈敏度：
低質(zhì)量數(shù) Li(7): 50 Mcps/ppm；
中質(zhì)量數(shù) Y(89): 60 Mcps/ppm（7700x)； 240 Mcps/ppm(7700s) ；
(高質(zhì)量數(shù) Tl(205): 80 Mcps/ppm(7700x)； 120 Mcps/ppm(7700s)；
根據(jù)用戶特殊需求，如激光、核工業(yè)、半導(dǎo)體材料等應(yīng)用，可提供超高靈敏度功能
2. 檢測(cè)限：
低質(zhì)量數(shù) Be(9): 0.5 ppt；
中質(zhì)量數(shù) In(115): 0.1 ppt
高質(zhì)量數(shù) Bi(209): 0.1 ppt
3. 氧化物干擾: CeO+/Ce+:1.5 %(7700x)； 3.0 %(7700s)；
4. 雙電荷干擾: Ce2+/Ce+:3.0 %
5. 同位素比精度: RSD(107Ag/109Ag) 0.1%
6. 質(zhì)譜范圍：2 - 260 amu；
7 豐度靈敏度
低質(zhì)量端: 5 x 10-7
高質(zhì)量端: 1 x 10-7
主要特點(diǎn)：
尺寸小的ICP-MS
靈敏度的碰撞池-第三代ORS3
純氣碰撞池：只用He氣就可以消除所有干擾。
耐高鹽的ICP-MS: HMI技術(shù)（TDS>3%）
ICP離子源技術(shù)：數(shù)字控制式諧頻ICP發(fā)生器
有機(jī)溶劑進(jìn)樣不熄火！
分析速度快：ISIS-DS技術(shù)
容易維護(hù)和清洗
強(qiáng)的色譜聯(lián)機(jī)功能：真正的一體化
功能強(qiáng)的軟件：MassHunter系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)QA/QC
偏移標(biāo)示，自動(dòng)化控制等
安接倫二手icp-ms儀器工作原理
ICP-MS所用電離源是感應(yīng)耦合等離子體(ICP)，它與原子發(fā)射光譜儀所用的ICP是一樣的，其主體是一個(gè)由三層石英套管組成的炬管，炬管上端繞有負(fù)載線圈，三層管從里到外分別通載氣，輔助氣和冷卻氣，負(fù)載線圈由高頻電源耦合供電，產(chǎn)生垂直于線圈平面的磁場(chǎng)。如果通過高頻裝置使氬氣電離，則氬離子和電子在電磁場(chǎng)作用下又會(huì)與其它氬原子碰撞產(chǎn)生更多的離子和電子，形成渦流。強(qiáng)大的電流產(chǎn)生高溫，瞬間使氬氣形成溫度可達(dá)10000k的等離子焰炬。樣品由載氣帶入等離子體焰炬會(huì)發(fā)生蒸發(fā)、分解、激發(fā)和電離，輔助氣用來維持等離子體，需要量大約為1 L/min。冷卻氣以切線方向引入外管，產(chǎn)生螺旋形氣流，使負(fù)載線圈處外管的內(nèi)壁得到冷卻，冷卻氣流量為10-15 L/min。
常用的進(jìn)樣方式是利用同心型或直角型氣動(dòng)霧化器產(chǎn)生氣溶膠，在載氣載帶下噴入焰炬，樣品進(jìn)樣量大約為1 mL/min，是靠蠕動(dòng)泵送入霧化器的。
在負(fù)載線圈上面約10 mm處,焰炬溫度大約為8000 K,在這么高的溫度下,電離能低于7 eV的元素*電離，電離能低于10.5 eV的元素電離度大于20%。由于大部分重要的元素電離能低于10.5 eV，因此具有很高的靈敏度，少數(shù)電離能較高的元素，如C、O、Cl、Br等也能檢測(cè)，只是靈敏度較低。
ICP-MS由ICP焰炬，接口裝置和質(zhì)譜儀三部分組成;若使其具有好的工作狀態(tài)，必須設(shè)置各部分的工作條件。
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